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Intel N200与HiSilicon Kirin 650对比

作者：admin 更新时间：2024-12-30 03:10

参数对比

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名称	Intel N200	HiSilicon Kirin 650
得分	3,742	1,602
TDP	6 W
TDP Down
插槽类型	FCBGA1264
核心数	4	8
线程数	4	8
主频		2,362.0 GHZ
睿频	3.7 GHz
发布时间	Q1 2023	NA

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