Samsung A13 USA SINGLE REV02B board based on EXYNO与HiSilicon Kirin 650对比

参数对比

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名称	Samsung A13 USA SINGLE REV02B board based on EXYNO	HiSilicon Kirin 650
得分	1,528	1,602
TDP
TDP Down
插槽类型
核心数	8	8
线程数	8	8
主频	2.0 GHZ	2,362.0 GHZ
睿频
发布时间	NA	NA

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