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Snapdragon 835与Hisilicon Kirin 930对比

作者：admin 更新时间：2025-01-10 06:22

参数对比

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名称	Snapdragon 835	Hisilicon Kirin 930
得分	1,784	1,330
TDP	9 W
TDP Down
插槽类型
核心数	8	8
线程数	8	8
主频	1.9 GHZ	2.0 GHZ
睿频	2.5 GHZ
发布时间	Q1 2021	NA

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