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VIA Nano U3100 (1.6GHz Capable)与HiSilicon Kirin 650对比

作者：admin 更新时间：2025-01-22 23:38

参数对比

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名称	VIA Nano U3100 (1.6GHz Capable)	HiSilicon Kirin 650
得分	501	1,602
TDP	9 W
TDP Down
插槽类型	BGA400
核心数	1	8
线程数		8
主频	1.3 GHz	2,362.0 GHZ
睿频	1.6 GHz
发布时间	Q1 2011	NA

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HiSilicon Kirin 650与VIA Nano U3100 (1.6GHz Capable)对比

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